XLE191采用两分频设计，一个8“钕磁体中低频驱动器，两个2"音圈钕磁体压缩驱动器，前端连接两个Hydra平面波发声器，合成90° x 10°波导。XLE191可使用双功模式，或者使用内置的档次高的无源分频网络实现单功模式。

  XLE181采用两分频设计，一个8“钕磁体中低频驱动器，两个2"音圈钕磁体压缩驱动器，前端连接两个Hydra平面波发声器，合成120° x 10°波导。XLE181可使用双功模式，或者使用内置的档次高的无源分频网络实现单功模式。

  XLD291采用三分频设计，使用覆盖控制技术（CCT™）将水平覆盖持续控制至250Hz。XLD291使用一个8“钕磁体低频驱动器及一个8“钕磁体中低频驱动器，两个2"音圈钕磁体压缩驱动器，前端连接两个Hydra平面波发声器，合成120° x 10°波导。XLD291可使用三功模式，或者使用内置的档次高的无源分频网络实现双功放模式。

  XLD281采用三分频设计，使用覆盖控制技术（CCT™）将水平覆盖持续控制至250Hz。XLD281使用一个8“钕磁体低频驱动器及一个8“钕磁体中低频驱动器，两个2"音圈钕磁体压缩驱动器，前端连接两个Hydra平面波发声器，合成120° x 10°波导。XLD281可使用三功模式，或者使用内置的档次高的无源分频网络实现双功放模式。

  XCS312是转为档次高的、低频扩展至40Hz的设计，它有三个12”DVX3120低频单元，与XLD281有相同的接触面尺寸，与XLD281的吊架通用，可以通过选件C-Beam衔接横梁吊挂在XLD阵列的后面。